近日，多家半導體頭部企業加速布局8英寸寬禁帶半導體制造。5月9日，有消息稱，聯電加速布局8英寸晶圓寬禁帶半導體制造，近期正大舉購置新機臺擴產，預計下半年進駐廠區。5月9日，半導體材料企業Soitec半導體公司發布了首款8英寸碳化硅SmartSiC晶圓。4月25日，科銳旗下功率與射頻部門Wolfspeed正式啟用全球最大8英寸碳化硅晶圓廠。寬禁帶半導體晶圓尺寸由6英寸向8英寸升級成為行業趨勢。分析師稱，這將有利于寬禁帶半導體降低成本。

寬禁帶半導體是半導體行業的熱門領域。現階段，寬禁帶半導體制造仍以6英寸為主。6英寸寬禁帶半導體制造產線成本相對較低，當前行業內多以IDM方式布局，代表企業有科銳、意法半導體、英飛凌、羅姆等功率半導體領域國際大企業。

而近期對寬禁帶半導體從6英寸向8英寸轉型表現出關注的企業，既包括以意法半導體為代表的國際老牌功率半導體IDM企業，又包括以英諾賽科為代表的專精于寬禁帶半導體的國內新興勢力，還有以聯電為代表的國際晶圓制造龍頭企業。整個產業鏈對寬禁帶半導體晶圓向8英寸轉型的關注，將極大地加快產業升級進程。若產業鏈成功完成由6英寸向8英寸的升級，則寬禁帶半導體的產能將大大提升。

業內分析師表示，近期產業鏈在寬禁帶晶圓片向8英寸轉型做出的一系列舉動，將給寬禁帶半導體產業帶來兩方面影響。

一方面，晶圓代工廠入局將推動寬禁帶半導體制造環節格局變遷。

賽迪顧問集成電路產業研究中心總經理滕冉在接受《中國電子報》記者采訪時表示，寬禁帶半導體仍以IDM模式為主，科銳、意法半導體、英飛凌等為主要參與企業。現階段，寬禁帶半導體領域的代工企業較少。以硅基氮化鎵為例，全球前5大晶圓代工廠中僅有臺積電在該領域布局。近期聯電加碼，意味著寬禁帶半導體也逐漸成為晶圓代工企業拓展布局的焦點。

另一方面，8英寸晶圓制造規模擴大，將有利于助推寬禁帶半導體晶圓成本降低。

氮化鎵與碳化硅是當前行業內應用最廣的兩種寬禁帶半導體材料。其中，氮化鎵以其高頻率材料特點主要應用于消費電子快充產品，以及5G基站、新能源充電樁等對材料頻率有較高需求的產品。碳化硅以其高功率材料特點成為新能源汽車、軌道交通、光伏等應用領域替代硅材料的關鍵材料。不論是氮化鎵、碳化硅，還是砷化鎵等其他寬禁帶半導體材料，其材料性能均獲得了業內認可。高材料價格是阻礙該材料行業應用的重要原因。

近日，代工企業與IDM企業加碼8英寸制造，都將進一步擴大寬禁帶半導體制造規模。“晶圓制造規模提升，將會提高上游晶片、原材料、設備的需求量，從而實現規模化生產的成本降低。”創道投資咨詢總經理步日欣在接受《中國電子報》記者采訪時表示，“聯電擴產8英寸寬禁帶半導體制造，意味著寬禁帶半導體正在向著大規模、低成本方向演進。”