?10月7日消息，據(jù)長沙晚報報道，總投資160億元的長沙三安第三代半導體項目國慶長假期間未停工，其中為主廠房提供動力的主要輔助建筑——C2綜合動力站日前已率先完成封頂。同時，項目最大單體建筑M2B碳化硅芯片生產(chǎn)廠房全面進入主體施工收尾階段。

中建五局三公司三安項目負責人周祥介紹，C2綜合動力站建筑面積約1萬平方米，是廠區(qū)的“心臟”，主要包括熱水系統(tǒng)、冷卻水系統(tǒng)、壓縮空氣系統(tǒng)、發(fā)電系統(tǒng)等。“除了動力站封頂，項目最大單體建筑M2B碳化硅芯片生產(chǎn)廠房全面進入主體施工收尾階段。”周祥說，項目部近日順利完成了M2B碳化硅芯片生產(chǎn)廠房華夫板澆筑，這也是廠房最難的施工部分。據(jù)悉，M2B碳化硅芯片廠房是該項目一標段30個單體中建筑面積最大、潔凈等級要求最高的廠房。

今年6月16日晚間，三安光電發(fā)布公告稱，計劃以現(xiàn)金投資160億元，在湖南省長沙高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會園區(qū)成立子公司投資建設第三代半導體產(chǎn)業(yè)園項目。

據(jù)公告介紹，該項目包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，投資總額160億元。

6月15日，三安光電已與長沙高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會簽署《項目投資建設合同》。根據(jù)計劃，三安光電將在用地各項手續(xù)和相關條件齊備后24個月內(nèi)完成一期項目建設并實現(xiàn)投產(chǎn)，48個月內(nèi)完成二期項目建設和固定資產(chǎn)投資并實現(xiàn)投產(chǎn)，72個月內(nèi)實現(xiàn)達產(chǎn)。

對于具體開發(fā)建設的產(chǎn)品，三安光電方面表示，主要研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SIC導電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiCMOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET等。對于此次投資，三安光電方面認為：“第三代半導體產(chǎn)業(yè)園項目有著廣闊的市場需求，現(xiàn)處于發(fā)展階段。本次投資項目符合國家產(chǎn)業(yè)政策規(guī)劃，符合公司產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向和發(fā)展戰(zhàn)略，有利于提升公司行業(yè)地位及核心競爭力。”

7月20日，長沙三安第三代半導體項目正式開工。據(jù)長沙高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員介紹稱，長沙三安第三代半導體項目，總占地面積1000畝，主要建設具有自主知識產(chǎn)權的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。項目建成達產(chǎn)后將形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，并帶動上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預計逾千億元。

當前，第三代半導體材料及器件已成為全球半導體材料產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體成熟商用材料，在新能源汽車、5G、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、半導體照明、消費類電子、航天等領域具有重要的應用價值。