LED珠寶照明有很多光線因折射而無法從LED珠寶照明芯片中照射到外部，為此開發(fā)了在芯片表面涂了一層折射率處于空氣和LED珠寶照明芯片之間的硅類透明樹脂，并且通過使透明樹脂表面帶有一定的角度，從而使得光線能夠高效照射出來，此舉可將發(fā)光效率提高到原產(chǎn)品的2倍。

　　目前，對(duì)于傳統(tǒng)的環(huán)氧樹脂，因熱阻高、抗紫外老化性能差，研發(fā)高通過率、耐熱、高熱導(dǎo)率、耐紫外線和日光輻射及抗潮的封裝樹脂也是一個(gè)趨勢(shì)。在焊料方面，要適應(yīng)環(huán)保要求，開發(fā)無鉛低熔點(diǎn)焊料，而且進(jìn)一步開發(fā)具有更商熱導(dǎo)率和對(duì)LED珠寶照明芯片應(yīng)力小的焊料是一個(gè)重要課題。

　?、俨捎么竺娣e芯片封裝。用1mmx 1mm的大尺寸芯片取代0.3mm x0.3mm的小芯片封裝，在芯片注入電流密度不能大幅度提高的悄況下，采用大面積芯片封裝技術(shù)是一種主要的發(fā)展趨勢(shì)。

　?、陂_發(fā)新的封裝材料。開發(fā)新的高熱導(dǎo)率材料，從而使led珠寶照明芯片的工作電流密度提商 5~10倍。就目前的趨勢(shì)看來，金屬基板主要選擇高熱傳導(dǎo)系數(shù)的材料，如鋁、銅甚至陶瓷材料等，但這些材料與芯片間的熱膨脹系數(shù)差異較大，若將其直接接觸，很吋能因?yàn)樵跍囟壬邥r(shí)材料間產(chǎn)生的應(yīng)力而造成可靠性問題，所以一般都會(huì)在材料間加上兼具傳導(dǎo)系數(shù)及膨脹系數(shù)的中間材料作為間隔。

　　③多芯片集成封裝。目前大尺寸芯片封裝還存在發(fā)光的均勻和散熱等問題亟待解決，采用常規(guī)芯片進(jìn)行髙密度組合封裝的大功率LED珠寶照明可以獲得較高發(fā)光通母，是一種切實(shí)可行、很有推廣前彔的大功率led珠寶照明固體光源。小芯片工藝相對(duì)成熟，各種高熱導(dǎo)絕緣夾層的鋁基板便于芯片集成和散熱。

　　④平面模塊化封裝。平面模塊化封裝是封裝技術(shù)的另一個(gè)發(fā)展方向，這種封裝的好處是由模塊組成光源，其形狀、大小具有很大的靈活性，非常適合于室內(nèi)光源設(shè)計(jì)，芯片之間的級(jí)聯(lián)和通斷保護(hù)是一個(gè)難點(diǎn)。平面模塊化封裝是獲得更大功芊LED珠寶照明的一種可行途徑。