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為什么實際內存總是小于標稱值?

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所屬頻道:新聞中心

關鍵詞:內存,U盤,Nor Flash,Nand Flash

      存儲技術飛速發展,存儲成本越來越低,但是我們買到的U盤,硬盤容量卻仍然總是會比標稱值少很多,是廠商為了節約成本還是有其他苦衷?今天,就讓我們從芯片角度,了解一下存儲設備實際容量總是小于標稱值更深層次的原因。

      隨著存儲技術的飛速發展,存儲芯片的存儲密度和存儲速度都得到了很大的提升,而存儲芯片的成本卻在不斷降低,還記得幾年前買個8G的U盤需要60塊大洋,而現在僅需要20多塊錢,手機也從幾年前的4G機身內存飆升到現在的64G、128G內存。

      話雖這么說,但是我們買到手上的貨,不管是優盤,硬盤或是手機甚至是存儲芯片,可用的存儲容量很多都和標稱容量不一致,總是會少個幾兆甚至幾G。我們不禁會問,現在存儲成本越來越低,這些廠商怎么還這么摳。而在這里,我要反問一句:8G的芯片,我們能用多少。

      說到存儲芯片,種類可謂是五彩繽紛,EEPROM、Nor Flash、Nand Flash、eMMC等等,Nor Flash和Nand Flash是現在市場上兩種主要的非易失閃存芯片,Nand flash的單元尺寸幾乎是NOR器件的一半,由于生產過程更為簡單,Nand結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量,也就相應地降低了價格。同時由于Nand Flash 擦除速度遠高于Nor Flash,因此Nand Flash在大容量存儲領域應用更加廣泛,比如U盤、SSD固態硬盤和eMMC存儲器里面的主要存儲單元等都是應用的Nand Flash。

      還記得我的問題嗎,8G的芯片,我們到底能用多少,實際容量小于標稱容量的情況一般發生于Nand Flash和eMMC芯片,而eMMC芯片的主要存儲單元也是Nand,Nand Flash雖然背后有無數光環,但是家家有本難念的經,Nand由于生產工藝及結構的原因,無法避免的會產生壞塊,之前某些廠家也有做過消除壞塊的努力,但是效果都不理想,壞塊是隨機產生的,因此廠家并不能完全控制可用存儲塊的容量,一般eMMC芯片用戶可用的存儲容量都會達到標稱容量的90%以上,比如三星的一款eMMC芯片的存儲容量如下圖:

      正是由于壞塊的存在,我們拿到手的芯片,數據手冊上明明標明的8G容量,我們卻用不了8G。

      其次,很多小伙伴們都有一個誤區,認為1GB=1024MB=1024KB=1024Byte,這在大部分情況下是正確的,但是其實很多標稱容量是按照1GB=1000MB=1000KB=1000Byte計算,1999年國際電工協會(IEC)制定了“KiB、MiB、GiB”二進制單位,其實這些單位才是按照1024進行換算的。這樣,我們購買的8G芯片,即使在沒有壞塊的情況下,也只有約為8×1000^3÷1024^3≈7.45G的容量,這個容量是不是很熟悉。目前主流操作系統所采用的存儲單位如下:

      微軟、安卓都是采用的是GiB這個單位,而U盤、硬盤很多都是采用的GB這個單位,這也解釋了買到手的U盤少了好幾百兆的問題。

    (審核編輯: 滄海一土)

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