日前，Vishay Intertechnology，Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，發(fā)布新的8mm x 8mm x 1.8mm Power PAK8x8L封裝40VTrenchFET 功率MOSFET-SQJQ402E，目的是為汽車應用提供可替代常用D2PAK和DPAK封裝，實現(xiàn)大電流，并能節(jié)省空間和功耗的方案。該款40VTrenchFET 功率MOSFET是業(yè)內(nèi)首顆使用這種8mm x 8mm占位，通過AEC-Q101認證的MOSFET，首次采用帶有能釋放機械應力的鷗翼引線的8mm x 8mm封裝。

　　SQJQ402E可在+175℃高溫下工作，為電機驅動、電動助力轉向、傳動控制和噴油驅動等汽車應用提供所需的耐用性和可靠性。器件Power PAK8x8L封裝的內(nèi)部結構使電感最小化，在10V和4.5V下的最大導通電阻為1.5mΩ和1.8mΩ，連續(xù)漏極電流高達200A。SQJQ402E表明了Vishay的MOSFET發(fā)展路線，這些MOSFET讓設計者在大量汽車應用里能發(fā)揮這種封裝的優(yōu)點。

　　今天發(fā)布的器件還采用為減小PCB焊點應力而專門設計的鷗翼引線，這種應力是由寬溫工作引起的，在汽車應用里會經(jīng)常碰到。這種方法已經(jīng)在Vishay更小的5mm x 6mm Power PAKSO-8L封裝中得到成功應用。D2PAK和DPAK封裝含鉛，而Power PAK8x8L超越了目前的RoHS標準，是完全無鉛的。

　　為了節(jié)約PCB空間，降低成本，并在通常需要多個MOSFET的應用中實現(xiàn)更小和更輕的模塊，SQJQ402E具有與采用D2PAK封裝的器件近似的導通電阻和更高的連續(xù)電流，而占位面積小60%，高度低60%。與采用DPAK封裝的器件相比，SQJQ402E的導通電阻低一半，電流是其兩倍，高度低21%，占位僅僅多12%，能有效降低功耗。

　　SQJQ402E現(xiàn)可提供樣品，將在二季度實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十三周到十四周。