近日，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在傳感器晶圓級(jí)鍵合封裝技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域取得新進(jìn)展，其針對(duì)三軸加速度傳感器所開發(fā)的8英寸Al-Ge共晶圓片級(jí)封裝技術(shù)（WLP）以及配套的減薄和劃片技術(shù)已通過質(zhì)量體系考核，采用該系列技術(shù)的T4型三軸加速度產(chǎn)品已上市銷售。

　　MEMS器件與傳統(tǒng)IC器件相比，往往具有脆弱的可動(dòng)結(jié)構(gòu)，因此需要在MEMS器件劃片與測(cè)試前將其保護(hù)起來。WLP技術(shù)在大大降低器件尺寸與成本的同時(shí)，還可有效地提高器件生產(chǎn)良率與可靠性，因此針對(duì)MEMS器件的WLP技術(shù)已成為科技界與工業(yè)界的關(guān)注熱點(diǎn)。MEMS器件的WLP技術(shù)不僅需要提供必需的焊盤引出外，還要擔(dān)負(fù)起為器件可動(dòng)結(jié)構(gòu)提供適當(dāng)?shù)臍饷芑蛘婵盏裙ぷ鳝h(huán)境的任務(wù)，因此相對(duì)傳統(tǒng)IC，MEMS對(duì)WLP技術(shù)提出更高的技術(shù)挑戰(zhàn)。

　　集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心與國(guó)內(nèi)公司共同建立了微電子所晶圓鍵合聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，致力于MEMS器件的晶圓級(jí)鍵合封裝技術(shù)的開發(fā)。該實(shí)驗(yàn)室開發(fā)的第一套Al-Ge晶圓鍵合封裝技術(shù)的鍵合環(huán)寬度僅有70um，其鍵合強(qiáng)度已超過70MPa、漏率小于5.0x10-3Pa·cm3/s（圖1和圖2分別為劃片前的晶圓照片和切割后的產(chǎn)品照片），該產(chǎn)品FT成品率（如圖3所示）優(yōu)于97%，與國(guó)際知名半導(dǎo)體代工廠所生產(chǎn)的同類產(chǎn)品指標(biāo)相當(dāng)，達(dá)到國(guó)際一流水平。

完成代工后產(chǎn)出晶圓照片

最終切割后產(chǎn)品照片以及紅外、X-SEM